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IXFB44N100P
50
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
45
40
55
50
T J = - 40oC
35
30
25
20
15
T J = 125oC
25oC
- 40oC
45
40
35
30
25
20
25oC
125oC
15
10
5
0
10
5
0
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
130
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
120
110
100
90
80
70
60
14
12
10
8
V DS = 500V
I D = 22A
I G = 10mA
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
Ciss
0.100
1,000
Coss
0.010
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_44N100P(97)4-01-08-D
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